В рамках модели регулярного раствора и стандартных термодинамических функций, использованных для описания состояний бинарных соединений и взаимодействия атомов в четырехкомпонентных твердых растворах, были рассчитаны высшие производные свободной энергии гомогенного твердого раствора InxGa1-xSbyAs1-y со смешением в двух подрешетках с третьей по восьмую производную включительно. Аналитические выражения для производных, численные расчеты и определение нулевых контуров высших производных проводились на основе дифференциального топологического подхода с использованием системы компьютерной математики Maxima. В четырехмерном концентрационном пространстве были рассчитаны сечения фазовой диаграммы твердого раствора InxGa1-xSbyAs1-y, критические пространства и пространства сосуществования фаз для различных температур. Результаты расчетов указывают на возможность формирования областей сосуществования фаз второго порядка в твердых растворах InxGa1-xSbyAs1-y, что не противоречит имеющимся экспериментальным данным.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шаповалов Геннадій Віталійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"