Показан способ повышения стойкости медных плит кристаллизаторов МНЛЗ путем легирования поверхностного слоя гафнием с помощью плазменно-дуговой технологии, разработанной в ИЭС им. Е. О. Патона. Основной причиной выхода из строя кристаллизаторов является сравнительно быстрый износ его нижней части, составляющий 1,5 - 2,5 мм. Это обусловлено низкой механической прочностью материала кристаллизатора (меди). Определено, что для упрочнения поверхностного слоя необходимо применять металлы IVA группы (цирконий, гафний, титан), которые значительно повышают температуру рекристаллизации (до 500 ^oC) и несколько снижают теплопроводность меди. Проведены эксперименты по легированию поверхностного слоя кристаллизатора МНЛЗ гафнием. Определено, что при увеличении содержания гафния в меди повышается ее твердость. Исследования стойкости упрочненного поверхностного слоя показали, что при содержании в меди 0,07 - 0,110 % гафния стойкость относительно меди повышается в 2 - 11 раза, а электропроводность снижается на 5 - 8 %. Металлографические исследования показали, что упрочненный слой является плотным, трещины, поры и другие дефекты отсутствуют. Установлено, что легирование поверхностного слоя с помощью плазменно-дуговой технологии позволяет повышать стойкость медных плит кристаллизатора МНЛЗ при незначительном снижении теплопроводности.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шаповалов Вадим Андрійович (медичні науки)
• Шаповалов Віктор Анатолійович (технічні науки)
• Бурнашев Віталій Рафатович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"