Проаналізовано вплив механізмів перенесення носіїв заряду на термоелектричні характеристики субмікронних ниткоподібних кристалів (НК) Si-Ge. На основі побудованих температурних залежностей опору оцінено значення енергії активації провідності для субмікронних зразків та проведено їх порівняння з кристалами мікронного масштабу. Показано, що енергія активації провідності <$Eepsilon sub 1> основного стану домішки бору для зразків НК Si-Ge з діаметром 200 нм дорівнює 29,6 меВ, що характерно для об'ємних матеріалів, натомість <$Eepsilon sub 2> становила 3,2 меВ. Зроблено припущення, що нетипово високе значення <$Eepsilon sub 2> спричинено неоднорідним напруженням на межі між ядром і нанопористою оболонкою субмікронного НК внаслідок несумірності їх параметрів кристалічної гратки. Даний ефект можна використати для створення сенсорів з термоелектричним принципом дії для кріогенних температур.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"