Отмечено, что пленки в четверной системе Ti-B-C-N осаждены на Si (100) подложки с помощью метода магнетронного на постоянном токе распыления двухкомпонентной Ті/В4С мишени в смеси газов Ar/N2 с разным количеством азота в смеси (от 0 до 50 %). Пленки исследовали при помощи методов рентгеновской дифракции, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, индентирования и царапания. Установлено, что пленки имеют нанокомпозитную структуру, состоящую только из нанокристаллитов (нк) Ti/TiB, если осаждение проводилось в чистом аргоне, или из нанокристаллических фаз нк-ТiN/нк-ТiBx/нк-TiOx, окруженных аморфной a-C/a-CN/a-BN/a-BC матрицей, при осаждении пленок в смеси Ar/N2. Последняя структура характерна для всех пленок независимо от количества азота в газовой смеси. Твердость пленок по Кнупу сначала возросла при добавлении азота в газовую смесь, достигнув максимального значения 33 ГПа при 25 % азота в смеси, а затем снижалась. Коэффициент трения пленок изменялся незначительно при добавлении разного количества азота в смесь, и при 25 % N2 показал наименьшее значение. Адгезионная прочность Ti-B-C-N-пленок на кремнии оказалась выше, чем у Ті-В-С-пленок.

• Іващенко Володимир Іванович (1956–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"