Виміряно щільність дислокацій і глибина зруйнованого шару для SiO2 + Si, Si підкладок. Розглянуто кристал GeSi з орієнтацією [111], до якого діє періодична механічна напруга, і який підпадає під комбінований вплив зовнішнього електричного поля і магнітного поля.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Онанко Анатолій Петрович (1955–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"