Features of changes in the electrophysical parameters (concentrations of charge carriers ne and their mobilities <$Emu>) in heavily doped n-Ge <$Esymbol ...~As~symbol ъ> single crystals, which occur as a result of the series of thermoannealings (each for 0,5 h) over a wide temperature range (<$E540~symbol Г~T~symbol Г~900~symbol Р roman C>), have been investigated and explained.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"