Un-cooled AlGaN/GaN-based heterojunction field-effect transistors (HFET) designed on sapphire (0001) substrates were considered as 140 GHz direct detection detectors without any specially attached antennas. The noise equivalent power (NEP) of these detectors was ~ 10<^>-10 W/Hz<^>1/2 in the observed radiation frequency range at ambient temperatures. It has been shown that the ultimate value for the AlGaN/GaN HFET detectors (in 0,25-<$Emu>m technology) can reach <$ENEP sub roman opt ~symbol Ы~6~cdot~10 sup -12> W/Hz<^>1/2, and it is 3-fold lower than that for Si MOSFET (in 0,35-<$Emu>m technology).

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна (фізико-математичні науки)
• Лисюк Ігор Олександрович (фізико-математичні науки)
• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"