Druzhynin A. InSb microcrystals for sensor electronics = Мікрокристали InSb для сенсорної електроніки / A. Druzhynin, I. Ostrovskyi, Yu. Khoverko, I. Khytruk, K. Rogacki // Computational Problems of Electrical Eng.. - 2014. - 4, № 1. - С. 1-6. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 x 1017 см-3. У межах точного розв'язку стаціонарного рівняння Больцмана на базі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2 - 500 K. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2 - 500 K і в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю ~ 3,5 мВ/Tл. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03 + В379.251.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж43601 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|