Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000570189<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Zakhvalinskii V. S. Diode based on amorphous SiC / V. S. Zakhvalinskii, L. V. Borisenko, A. J. Aleynikov, E. A. Piljuk, I. Goncharov, S. V. Taran // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 4 (ч. 1). - С. 04029-1-04029-3. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|