The linearly-graded p-n junctions were prepared by diffusion of cadmium into n-InSb(100) substrate with the electron concentration <$En~symbol Ы~1,6~cdot~10 sup 15 ~roman cm sup -3> at the temperature T = 77 K. Passivation and protection of mesa structures have been carried out using thin films of CdTe. Forward and reverse current-voltage characteristics were investigated within the temperature range 77...156 K. It has been found that the total dark current consists of generation-recombination and tunneling current components, which are dominant at high (T = 120...156 K) and low (T << 120 K) temperatures, respectively. Experimental results have been explained using the model of a nonhomogeneous p-n junction. It has been shown that in the linearly-graded p-n junction with the rather thick (~<$E1~mu m>) depletion region tunneling current flows through the states related to dislocations in the depletion region. The performed estimation of electrical parameters of diffusion InSb p-n junctions allows to predict behavior of InSb-based photodiodes at operation temperatures T >> 77 K.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"