Показано, что покрытия с квазикристаллической структурой системы Al - Cu - Fe могут быть получены способом электронно-лучевого вакуумного осаждения при температурах подложки 570 - 870 K. В осажденных таким образом покрытиях иногда обнаруживаются сквозные трещины. Рентгенодифракционным методом установлено, что остаточные напряжения в бездефектных покрытиях Al - Cu - Fe линейно возрастают с увеличением температуры их осаждения, что связывается с ростом термических напряжений, обусловленных различием в линейных коэффициентах термического расширения (ЛКТР) подложки и покрытия. В случаях, если в процессе охлаждения подложки до комнатной температуры упругие напряжения достигают некоторого критического значения, они приводят к образованию сквозных трещин. Из анализа зависимости уровня остаточных напряжений в покрытии от температуры осаждения был определен ЛКТР материала покрытия. Вязкость разрушения покрытия оценена как <$E GAMMA~=~15,7~symbol С~1,1> Дж-м<^>2. Полученные характеристики покрытия Al - Cu - Fe использованы для расчета его критической толщины, при которой сохраняется бездефектная структура поверхности в зависимости от материала подложки и температуры осаждения покрытия. Экспериментальные исследования структуры поверхности покрытий, осажденных при различных значениях температуры на подложки из сталей K600, K890 и K110, показали, что сквозное растрескивание покрытий не зафиксировано в тех случаях, когда их толщина меньше рассчитанной критической.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Устінов Анатолій Іванович (фізико-математичні науки)
• Поліщук Тетяна Вікторівна (1985–) (сільськогосподарські науки)
• Мельниченко Тетяна Володимирівна (філологічні науки)
• Мельниченко Тетяна Всеволодівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"