Heterostructure contacts p<^>+-PbTe/p-CdTe were prepared using the hot-wall technique on glassceramic substrates. It has been shown that the potential barrier at the p<^>+-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontacts of metal-p<^>+-PbTe/p-CdTe type. The transverse and in-plane transport of carriers has been investigated as a function of bias voltage and temperature. The current-voltage characteristics measured for the transverse arrangement of contacts exhibited ohmic behavior. The current-voltage characteristics of these contacts are determined by unipolar injection of holes from p<^>+-PbTe into p-CdTe. The inplane transport has been explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The potential barrier height has been estimated to be ~0,1 eV at room temperature. The mechanism of carrier transport is thermionic emission.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"