Напилення індію приводить до змін морфології поверхні (100) шаруватого напівпровідника In4Se3, що спостережено за допомогою сканувальної тунельної мікроскопії (СТМ), з формуванням наноструктур різної розмірності, яка залежить від умов вирощування кристалів. Спостережено переважаюче формування наноточок для кристалів з низькою і квазіодновимірних структур для кристалів з високою провідністю. На підставі даних СТМ і сканувальної тунельної спектроскопії зроблено висновок, що розмірність, форма і напрям одержаних напилених індієвих структур обумовлені кластерами індію, які є наявними на вихідній поверхні (100) надвисоковакуумних сколів кристалів In4Se3 внаслідок явища самоінтеркаляції.

• Мазур Петро Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"