Druzhinin A. A. Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures / A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov, N. S. Liakh-Kaguy, T. Palewski // Functional Materials. - 2012. - 19, № 3. - С. 325-329. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Проведено комплексні дослідження деформаційно-стимульованих ефектів у ниткоподібних кристалах (НК) кремнію p-типу, легованих бором, із кристалографічною орієнтацією <<111>> в інтервалі температур 4,2 - 300 K і магнітних полях до 14 Тл, опромінених електронами високих енергій. Виявлено особливості п'єзомагнетоопору у сильнолегованих бором НК Si і з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик за низьких температур. Вивчено вплив електронного опромінення з енергією 10 МеВ і флюенсом <$E PHI~=~5~cdot~10 sup 17> ел/см<^>2 на коефіцієнт тензочутливості НК Si, легованих бором, за низьких температур. Розроблено високочутливий п'єзорезистивний сенсор тиску рідкого гелію на основі НК кремнію з гігантським коефіцієнтом тензочутливості. Сильнолеговані НК кремнію з класичним п'єзоопором успішно використовуються у сенсорах механічних величин для широкого інтервалу температур 4,2 - 300 K. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|