Досліджено структурні та енергетичні зміни на поверхнях сколювання шаруватих кристалів In4Se3 за допомогою методів ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії (УФЕС) і дифракції повільних електронів. Проаналізовано відмінності в УФЕС спектрах поверхонь сколювання чистих кристалів In4Se3, експонованих у атмосфері залишкових газів надвисоковакуумної камери, підданих обробці іонами Ar і УФ опроміненням, які можуть бути пов'язані із змінами електронно-енергетичної структури поверхні. Дослідження формування інтерфейсів на сколах In4Se3 є важливими з огляду на можливості одержання достовірних результатів експериментального дослідження зонної структури In4Se3, зважаючи на нестабільність поверхонь сколів під дією УФ, іонного опромінення й експозиції у надвисокому вакуумі, яка не є характерною для шаруватих кристалів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"