Досліджено термодинамічні умови післяростового відпалу для одержання напівізоляційного CdTe з мінімізованим вмістом точкових дефектів і відхиленням від стехіометрії для нелегованих і легованих Sn монокристалів CdTe. Вимірювання провідності й ефекту Холла виконано в широкому діапазоні температур (200-1 000 <$E symbol Р>C) для дослідження структури точкових дефектів і визначення тиску Cd, за якого має місце компенсація мілких рівнів. Показано, що, на відміну від нелегованих зразків, де зміна типу провідності за зміни тиску Cd відбувається легко, леговані Sn зразки характеризуються більш стабільною поведінкою внаслідок самокомпенсації Sn. Показано, що 500 <$E symbol Р>C є оптимальною температурою для керування відпалом кристалічних зразків.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"