Досліджено вплив ізоелектронних домішок <$E roman K sup +> та <$E roman J sup -> на енергетичні спектри центрів захоплення та випромінювання в кристалах CsBr : Eu. Показано, що домішка <$E roman K sup +> не спричиняє суттєвих змін у положенні смуг рентгенолюмінесценції в разі 445 та 365 нм (80 K) кристалів CsBr : Eu, обумовлених відповідно іонами <$E roman Eu sup 2+> та автолокалізованими екситонами. Для кристалів <$E roman {CsBr~:~Eu} sup 2+>, активованих домішкою <$E roman J sup ->, відповідні максимуми люмінесценції зміщуються до 450 та 350 нм. Легування кристалів CsBr іонами <$E roman Eu sup 2+> спричиняє появу інтенсивного піку ТСЛ за температури 420 K і двох слабких піків за температур 320 та 340 K. Введення в ці кристали домішок <$E roman K sup +> та <$E roman J sup -> призводить до зникнення піку 420 K та суттєвого зростання інтенсивності ТСЛ у піках за температур 320 та 340 K. Легування іонами <$E roman K sup +> кристалів CsBr : Eu спричиняє появу додаткового піку ТСЛ за температури 370 K. Інтерпретація одержаних результатів базується на розгляді процесів утворення електронних <$E F(V sub roman Br )> та <$E F sub Z (V sub roman Br~-~( roman Eu sup 2+~-~V sub roman Cs ))> центрів і діркових <$E ( roman Eu sup 2+~-~V sub roman Cs )>-центрів та їх асоціатів з іонами <$E roman K sup +> та <$E roman J sup ->. Обговорено процеси спустошення <$E F>-подібних центрів і рекомбінації носіїв заряду біля активатора з резонансною передачею енергії збудження до <$E roman Eu sup 2+>-іонів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"