Дослідження спектрів фотопровідності та люмінесценції кристалів гранатів складу <$E roman {A sub 3 B sub 2 Ga sub 3 O sub 12}> (A = <$E roman R sup 3+> - Nd, Sm, Gd; B - Ga або Sc) проведено в ультрафіолетовій області 200 - 400 нм за температур 80 - 295 K. Приділено увагу виділенню внесків різної природи у процеси релаксації збуджень випромінювальним і безвипромінювальним з фотоіндукованим переносом заряду шляхами. Зіставлення вузьких смуг фоточутливості та люмінесценції з відповідними збудженими станами та схеми енергетичних рівнів вільних іонів <$E roman R sup 3+> дозволяє ідентифікувати лінійчасті смуги як електронні переходи між рівнями <$E 4f>-оболонки цих іонів. Припущено, що перехід <$E nothing sup 6 H sub {7 "/" 2}~symbol О~nothing sup 6 P sub {7 "/" 2}> іона <$E roman Gd sup 3+>, як імовірний у гадолінієвих гранатах, може відповідати за вузьку смугу люмінесценції ~ 382 нм. Стисло розглянуто можливі механізми спостережуваних ультрафіолетової люмінесценції та фотопровідності.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"