Виявлено природи смуг ІЧ фотолюмінесценції (ФЛ) 1,3 та 1,6 еВ (970 та 790 нм) кристалів ZnSe і ZnSe(Te). На основі експериментального дослідження ФЛ додатково очищених кристалів, а також розрахунків із застосуванням статистики носіїв заряду у напівпровідниках з багатозарядними центрами встановлено, що ІЧ ФЛ зумовлена багатозарядними власними точковими дефектами. ІЧ-смуга 1,3 еВ зумовлена внутрицентровими переходами між збудженим та основним станами однократно йонізованих вакансій селену, які є двозарядними донорами, а ІЧ-смуга 1,6 еВ - випромінювальними переходами електронів з однократно йонізованих вакансій селену на акцепторний рівень комплекса [VZnTeSe].

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"