Досліджено сцинтиляційні властивості вирощених методом Бриджмена-Стокбаргера кристалів ZnSe, легованих у процесі росту Zn, Se, Te і відпалених у середовищі вказаних компонентів. З урахуванням впливу оксидних домішок розглянуто процеси дефектоутворення у сцинтиляторі ZnSe(Te) і показано, що для кристалів селеніду цинку, вирощених із шихти стехіометричного складу або з домішкою халькогену з наступним відпалом у парах Zn, властивий мінімальний рівень післясвітіння, різне зростання інтенсивності рентгенолюмінесценції (РЛ) та зсув максимуму люмінесценції з інфрачервоної частини спектра в червону (lambda_max = 630 - 640 нм). За низькою концентрацією домішки Te і підвищеним рівнем кисневих домішок (C_O / C_Te >= 0,2) домінує швидка компонета РЛ із lambda_max = 590 - 600 нм. Із урахуванням різниці у співвідношенні ефективних зарядів різноманітних дефектів розглянуто термодинамічну модель взаємодії ізовалентних домішок та оптоелектронні властивості радіаційностійких комплексів V_Zn-Te_Se, а також роль центрів, що конкурують, Zn_i-O_Se у формуванні сцинтиляційних властивостей кристалів ZnSe(Te).

• Галкін Сергій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"