Romanyuk B. N. Evolution of recombination parameters of "solar" monocrystalline silicon due to thermal and getting treatments / B. N. Romanyuk, V. G. Popov, V. G. Litovchenko, N. I. Klyui, A. B. Romanyuk, V. I. Gorbulik, D. N. Moskal, S. G. Volkov // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 555-560. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|