Структури Ge₃₃As₁₂Se₅₅ - X - n - Si (де X: Sb, Bi, In і Pb) одержані шляхом термічного осадження наношару X товщиною 100 нм на n - Si і наступнимим напиленням плівок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (1 мкм) методом дискретного термічного випаровування. Для дослідження електрофізичних властивостей цих структур було використано контакти з Al, нанесені термічним випаровуванням на обидві сторони структури. Дослідження вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик проведено в області напруг від 0,01 до 1,00 В. В результаті досліджень встановлено, що наявність наношарів змінює умови переносу носіїв заряду через таку структуру, величину енергетичного бар'єра на межі поділу. Перенесення носіїв заряду з проміжними наношарами із Pb і Sb пов'язано як з процесом емісії, так і з процесом тунелювання через енергетичний бар'єр 0,44 еВ. Механізм переносу носіїв заряду через структуру з наношаром In може бути описаний в рамках моделі,яка враховує рекомбінацію і тунелювання через стани на межі поділу, енергетична величина якої складає 0,69 еВ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"