Досліджено температурні залежності електричного опору низькорозмірних монокристалів NbSe₃ та NbSe₂ в температурному діапазоні 300 - 540 К. Вимірювання опору виконано вздовж ланцюжків для квазіодномірних монокристалів NbSe₃ та вздовж шарів для квазідвомірних монокристалів NbSe₂. На температурних залежностях опору виявлено експоненційні відхилення від лінійної залежності. Припущено, що ці відхилення пов'язані з внесками від рівноважних вакансій селену.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"