Розроблено технологічний процес створення однорідних полікристалів Nal(Tl) великої площі та одержання на їх основі високоякісних детекторів для візуалізації гамма-зображення для систем однофотонної емісійної комп'ютерної томографії (ОФЕКТ). Основними етапами одержання сцинтиляційних детекторів великої площі є: пресування великогабаритних монокристалів за підвищених температур, порізка та фінішне оброблення кристала з наданням зразку високої однорідності розподілу світлового виходу. Для створення матеріалу з однорідними сцинтиляційними характеристиками вдосконалено спосіб високотемпературного деформування. Визначено структурну неоднорідність кристала, що викликана особливостями пластичного плину та напружено-деформованого стану. Виявлено оптимальні умови застосування методу багаторазових повторних релаксацій, які забезпечують фізичну цілісність матеріалу великої площі. Для формування заданої функції розподілу світла по всій поверхні детектора виявлено, що зміна методу оброблення поверхні кристала дозволяє варіювати шириною функції розподілу світла в межах до ЗО мм. Використання матеріалів з різними коефіцієнтами відбиття забезпечують зміну величини виходу світла з периметру детектора від +12 % до -6 % у порівнянні зі середньостатистичним виходом світла в центральній області детектора.

• Бояринцев Андрій Юрійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"