Побудовано теорію провідності графену, вирощеного за допомогою методу осаджування з парової фази, на плівці сегнетоелектрика полівініледен флюорид трифлуороетилен (PVDF-TrFE) з урахуванням розсіяння носіїв на великомасштабних неоднорідностях потенціалу, зумовлених як наявністю доменної структури сегнетоелектрика, так і неоднорідностями розподілу хімічних допантів на поверхні графену. Показано, що зі збільшенням кореляційної довжини, яка описує неоднорідності, питомий опір зменшується, і для випадку достатньо однорідного розподілу хімічних домішок і достатньо великих розмірів доменів може становити 100 Ом і менше. Такі значення роблять систему "графен на PVDF-TrFE" конкурентною щодо стандартних провідних прозорих ІТО (індій - оксид олова) покриттів для фотовольтаїки. Проведено порівняння результатів теоретичного опису з експериментальними даними.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Курчак Анатолій Іванович (фізико-математичні науки)
• Стріха Максим Віталійович (1961–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"