Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв'язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристала, їх "агрегатного" стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів - електронних і діркових центрів забарвлення, які відіграють визначальну роль у термостимульованій екзоелектронній емісії кристала СsI у широкому діапазоні потужностей й поглинутих доз електронного і ультрафіолетового опромінення. Показано, що метод екзоелектронної емісійної спектроскопії радіаційно-збуджених кристалів CsI придатний для реєстрації початкових стадій дефектоутворення на поверхні, присутності домішок у цих кристалах, а також для порівняння радіаційної стійкості кристалів. Оцінено критичні потужності і поглинуті дози опромінення за кімнатних температур, що призводять до деструкції поверхні, накопичення дефектів в кристалах та радіаційного руйнування їх поверхонь з можливим виділенням фази однієї з їх компонент.

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)
• Ненчук Тарас Миколайович (фізико-математичні науки)
• Яровець Ігор Романович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"