Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом•см, который работоспособен в интервале температур от –100 до +200 °С и в диапазоне давлений от 0 до 20 МПа. Датчик предназначен для широкой области применений.

The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm•cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200 °C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of applications.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лях-Кагуй Наталія Степанівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"