Iso-type p-PbTe/p-CdTe heterojunctions were grown on BaF2 substrates by using the hot-wall epitaxy technique. The growth details are presented. The carrier transport mechanism was investigated by means of the current-voltage measurements. At 77 К the dominant conduction mechanism was found to be the space-charge-limited current. The photovoltaic response in the long-wave infrared region with the half-peak cut-off wavelength ranged from 8,0 to 9,0 <$Emu>m was observed in these heterojunctions for the first time. The possible mechanism of the photoresponse is the internal photoemission of holes from p-PbTe across the heterojunction barrier.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З843.32

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"