Рассмотрены диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с туннельными (ТБГ) или резонансно-туннельными (РТБГ) боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследованы вольтамперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с ТБГ или РТБГ обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонтрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"