Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n-Si:As наявність градієнта температури на межі рідкої та твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не призводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легувальної домішки. Цей факт продемонстрував домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легувальної домішки за рахунок kT, що відбувається за температури <$E T~=~1412~symbol Р roman C> у процесі вирощування легованих монокристалів n-Si з розплаву.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"