Досліджено механізми формування бар'єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p - n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77 - 146 К за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~150> мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150 - 220 К - дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Одержані результати слід враховувати під час виготовлення омічних контактів до p-PbTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Маланич Галина Петрівна (хімічні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)
• Кравецький Михайло Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"