Исследованы диффузионные профили элементов 6 группы периодической таблицы Менделеева в монокристаллах полуизолирующего нелегированного GaAs. Рассмотрен механизм формирования и распределения легирующей примеси и проанализировано формирование вакансионного состава монокристаллов при термообработке с учетом отклонения состава от стехиометрического и дислокационной структуры. Показаны возможности управления структурными и электрофизическими параметрами монокристаллов GaAs.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"