З використанням імпульсного методу в області частот 7,5 - 232,5 МГц за T = 300 К досліджено вплив попередньої деформації (<$Eepsilon> = 0,65 %) і опромінення (в інтервалі доз 0 - 800 Р) на хід частотних залежностей швидкості ультразвуку в кристалах LiF. Екстраполюючи результати по дисперсії швидкості v(f) на область низьких частот та використовуючи відомі теоретичні співвідношення, встановлено, що коефіцієнт динамічної в'язкості B і густина дислокацій <$ELAMBDA> зі зростанням дози опромінення залишаються незмінними. Разом з тим виявлено, що абсолютне значення величини B є в 10 разів меншим, а величини <$ELAMBDA> - у стільки ж разів більшим від тих значень, що дають найбільш коректні методи - високочастотного внутрішнього тертя і прямого підрахунку ямок протравлювання відповідно.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Петченко Гліб Олександрович (фізико-математичні науки)
• Петченко Олександр Матвійович (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"