Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристаллов (НК) Si_1–xGe_x при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл - диэлектрик», имеет линейный характер. Предложена концепция создания сенсоров на основе НК Si_1–xGe_x для одновременного измерения индукции магнитного поля и температуры.

Наведено результати досліджень електрофізичних властивостей ниткоподібних нанокристалів (НК) Si_1–xGe_x під дією магнітного поля за низьких температур. Польова залежність опору зразків, легованих до концентрації носіїв, яка відповідає діелектричномубоку переходу «метал - діелектрик», має лінійний характер. Запропоновано концепцію створення сенсорів на основі НК Si_1–xGe_x для одночасного вимірювання індукції магнітного поля і температури.

The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si_1–xGe_x nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si_1–xGe_x nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"