Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла (ЭК) над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости ЭК как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой "недокомпенсации" внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основании предложенной модели дано объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств ЭК над поверхностью жидкого гелия.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"