За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) у разі адсорбції на ній атомів Gd. Показано, що адсорбція атомів Gd на атомарно чисту поверхню Si(113)-<$E 3~times~2> за кімнатної температури призводить до зменшення її роботи виходу від 4,75 еВ для <$E THETA sub roman Gd> = 0 МШ до <$E symbol Ы~0,8> еВ для <$E THETA sub roman Gd~=~4,4> МШ. При подальшому збільшенні покриття робота виходу збільшується до <$E symbol Ы~1,2> еВ для <$E THETA sub roman Gd~symbol У~6> МШ, що супроводжується металізацією плівки Gd. Одержані результати пояснюються утворенням силіциду гадолінію та особливостями металізації плівки Gd за кімнатної температури.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"