The defective structure of specifically undoped cadmium telluride crystals was researched using the theory of thermodynamic potentials. The calculated concentration of point defects and free charge carriers in the CdTe crystals, depending on technological factors of two-temperature annealing (annealing temperature T and partial pressure of cadmium <$E P sub roman Cd> vapor). The dominant types of defects that determine the basic properties of the material n- and p-type conduction were determined.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"