Studenyak I. P. Optical absorption edge and luminescence in phosphorous-implanted Cu6PS5X (X = I, Br) single crystals / I. P. Studenyak, V. Yu. Izai, V. O. Stephanovich, V. V. Panko, P. Kus, A. Plecenik, M. Zahoran, J. Gregus, T. Roch // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 287-293. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Implantation of Cu6PS5X (X = I, Br) single crystals was carried out for different values of fluence with using P<^>+ ions; the energy of ions was 150 keV. For the implanted Cu6PS5X crystals, the structural studies were performed using the scanning electron microscopy technique and energy-dispersive X-ray spectroscopy. Spectrometric studies of optical absorption edge and luminescence were carried out within the temperature range 77 - 320 K. The influence of ionic implantation on luminescence spectra, parameters of Urbach absorption edge, parameters of exciton-phonon interaction as well as ordering-disordering processes in Cu6PS5X (X = I, Br) superionic conductors have been studied. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|