Conductivity of p-Si and p-Ge is considered for the two-band model with due regard for mutual drag of light and heavy holes. It is shown that for small and moderate temperatures this drag significantly diminishes the drift velocity of light holes and, as a result, the whole conductivity of crystal. The drag effect considered here appears also in the form of non-monotonous dependences of conductivity on temperature and carrier concentration.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бойко Ігор Іванович (1935–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"