Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395592<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Boiko I. I. Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si / I. I. Boiko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 183-187. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Piezoresistance of n-Si is considered with due regard for inter-valley drag. It has been shown that inter-valley drag gains the piezocoefficient and diminishes the mobility. In the region of nondegenerate carriers, the effect of drag increases when the carrier concentration rises and temperature falls. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|