Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395570<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 1. - С. 1-6. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|