In this work, we firstly investigated controlling the lattice parameter of III-oxides used as substrates for III-nitrides heterostructures. It was shown that the atomic content change in III-sublattice gives large possibilities for precise cation controlling the lattice parameters. The developed technique is promising to make ideal substrates in III-nitride epitaxy of LED, LD and transistors with a high quantum efficiency and small noise. This technology can be realized using MBE, MOSVD or CVD chloride-hydride epitaxy with computer driving.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"