Mobility of electrons in multivalley bands of Si and Ge is considered with due regard for intervalley drag. It is shown that drag sufficiently diminishes electron mobility at low temperatures. This effect is clearer pronounced in germanium than in silicon.
Шифр НБУВ: Ж16425Пошук видання у каталогах НБУВДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"