The results of experimental researches of photoluminescence (PL) spectra in Si nanocluster structures obtained by implantation of silicon ions to SiO2 - Si structures with high-temperature (1100 <$E symbol Р>C) and following low-temperature annealings in various regimes are given. We have found that additional low-temperature treatments in definite regimes result in substantial increase of the PL intensity, thus a maximum effect is observed after annealing in air. The possible mechanisms of the obtained effects are discussed. Those are based on supposition about the dominating contribution of luminescence through the electronic states on SiO2 - Si nanoclaster interfaces, which is related to defect and impurity complexes. It has been shown that growth of the PL intensity is governed by two effects: generation of new centers of radiative recombination on the nanocrystal-dielectric matrix interfaces, and passivation of non-radiative recombination centers.

• Мельник Валентин Миколайович (фізико-математичні науки)
• Мельник Вікторія Володимирівна (економічні науки)
• Мельник Володимир Григорович (1948–) (технічні науки)
• Мельник Віктор Іванович (1956–) (біологічні науки)
• Попов Віктор Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)
• Романюк Борис Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"