Influence of low-temperature annealing on electrical and luminescent properties of semi-insulating n-CdTe:Sn is studied. It is shown that annealing at <$E T~symbol У~453> K modifies a near-surface layer of the crystals and this enhances the hole component of the conductivity. It is explained by Cd evaporation and subsequent enrichment of the near-surface layer with cadmium vacancies. Results of electrical measurements are confirmed by our low-temperature photoluminescence experiments.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Корбутяк Дмитро Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"