Iso- and anisotype heterojunction Ge/Si photodetectors have been made by depositing Ge layer onto monocrystalline Si using vacuum evaporation technique. These detectors before and after annealing were utilized to detect 1,064 <$E mu roman m> Nd:YAG laser pulses. The study is also included determination of the optimum Ge thickness and annealing conditions. The experimental results show that the photoresponse was highly improved after classical thermal annealing and rapid thermal annealing (RTA).The voltage responsivity and rise time results were strongly depended on annealing type and conditions. It is found that the optimum conditions can be obtained for n-Ge/p-Si photodetector prepared with 200 nm Ge thick and annealed with RTA at 500 <$E symbol Р>C for 25 s.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"