Наведено числову модель вольт-амперних характеристик польового транзистора з бар'єром Шоткі на основі арсеніду галію, так званого GaAs MESFET. Розглядувана фізична модель базується на двовимірному аналізі рівняння Пуасона в активній області під затвором. Розроблено відповідне програмне забезпечення. Теоретичні результати зіставлено з експериментальними даними.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"