Dotsenko Yu. P. Thermodonor activation energy and mechanisms tensoeffects of tensoeffects in transmutation-doped <$E bold gamma>-irradiated silicon / Yu. P. Dotsenko, V. M. Ermakov, A. E. Gorin, V. I. Khivrych, V. V. Kolomoets, V. F. Machulin, L. I. Panasjuk, I. V. Prokopenko, B. B. Sus', E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 111-114. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.Відзначено, що з метою визначення енергії активації високотемпературних термодонорів (ТД-II) технологічного походження та дослідження впливу сильних напрямлених тисків на положення енергетичних станів дефектів у нейтронно легованому <$E gamma>-опроміненому n-Si(P) досліджено ефект Холла, тензохолл-ефект, тензорезистивний ефект, тощо. На основі одержаних даних зіставлено головні характеристики та параметри нейтронно легованого n-Si(P) і кремнію, легованого фосфором під час вирощування. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|