Досліджено морфологію та склад поверхні твердих розчинів Cd1-xZnxTe та Cd1-xMnxTe залежно від способу обробки поверхні. Хімічне травлення та полірування поверхні алмазними пастами зумовлює порушення стехіометрії поверхні та забруднення поверхневого шару вуглецем і компонентами травника. Для вивчення процесів, що відбуваються на межі поділу напівпровідник - електроліт, проведено потенціометричні дослідження та на їх основі зроблено передбачення стосовно фазового складу оксидних плівок на поверхні Cd1-xZnxTe і Cd1-xMnxTe та визначено механізми їх розчинення. Встановлено, що хіміко-механічне полірування композиціями колоїдного кремнезему є оптимальним способом обробки поверхні. Хіміко-механічне полірування даною сумішшю дозволяє одержати однорідну поверхню без суттєвих порушень стехіометрії й уникнути забруднення поверхневого шару компонентами травника.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"