Запропоновано модель утворення мікродоменів у сегнетоелектричних фоторефрактивних матеріалах під час постійного освітлення перпендикулярно полярній осі. Матеріал має донорний рівень, утворений атомами фотоактивної домішки. Поздовжній фотогальванічний струм призводить до нагромадження поверхневого заряду на межі світлової плями. Цей заряд локалізований на нанокластерах різних розмірів, тому його густина випадково розподілена в тонкому перехідному шарі між свілом і тінню. Кожний кластер можна розглядати як зародок для зростання одного мікродомену. Таким чином, навкруги освітленої області з'являється велика кількість мікродоменів. Форму мікродоменів та їх фізичні властивості досліджено в термінах феноменологічної моделі Ландау - Гінзбурга - Девоншира з урахуванням ефектів екранування та напівпровідникових властивостей сегнетоелектричного середовища. Продемонстровано: якщо густина заряду кластеру перевищує критичну, мікродомен стає вузьким і видовженим і може зрости через ідеальний зразок. У такому випадку мікродомени можна легко виявити експериментально. Таким чином, завдяки ефектам поперечної модуляції довжина мікродоменів може різко зростати від десятків мікрон до макроскопічних розмірів. Усі теоретичні результати якісно підтверджено експериментальними даними щодо утворення фотоіндукованих мікродоменів у кристалах LiNbO3 та індукованого ними розсіяння світла.

• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)
• Єлісєєв Євген Анатолійович (1977–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"